Một linh kiện quang tử ghép/tách hai mode thấp nhất cho ánh sáng phân cực từ ngang (TM) và điện ngang (TE), được tạo ra dựa trên bộ ghép chữ Y bất đối xứng trong cấu trúc dẫn sóng nóc/đỉnh nền tảng SOI. Thông qua các phương pháp mô phỏng số (3D-BPM và EIM), linh kiện đề xuất có thể hoạt động trong một dải bước sóng rộng đến 220 nm với suy hao chèn kênh (I.L), nhiễu xuyên kênh (Cr.T) và suy hao không phụ thuộc phân cực lần lượt là I.L > - 0.28 dB, Cr.T < - 20 dB và PDL < 0.03 dB. Cùng với kích cỡ 3 μm × 60 μm và sai số chế tạo ± 50 nm, linh kiện hoàn toàn có thể được chế tạo bởi các công nghệ CMOS hiện tại để có thể áp dụng vào trong một hệ thống ghép kênh phân chia theo mode MDM.
Năm 2023 
